微溝槽IGBT

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202121414363.1 申請日 -
公開（公告）號 CN215731728U 公開（公告）日 2022-02-01
申請公布號 CN215731728U 申請公布日 2022-02-01
分類號 H01L29/739（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 俞義長;趙善麒 申請（專利權(quán)）人 江蘇宏微科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 常州佰業(yè)騰飛專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 陳紅橋
地址 213022江蘇省常州市新北區(qū)華山中路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供一種微溝槽IGBT，所述微溝槽IGBT包括：半導(dǎo)體襯底和IGBT元胞，IGBT元胞包括：多個真柵極單元，相鄰真柵極單元之間設(shè)有數(shù)量不等的假溝槽單元和/或假柵極單元，且假溝槽單元和/或假柵極單元對稱設(shè)置；相連溝槽之間中間通過注入推結(jié)形成PW導(dǎo)電層覆蓋到溝槽底部，且在真柵極單元兩側(cè)通過注入推結(jié)在PW導(dǎo)電層下部形成JFET層。本實用新型將PW導(dǎo)電層覆蓋到溝槽底部同時在真柵極單元之兩側(cè)引入JFET，使得PW局部維持原來的深度且不改變溝道長度，可以在優(yōu)化IGBT靜態(tài)特性的同時通過虛擬柵極降低米勒電容，增大輸入電容和米勒電容的比例，進(jìn)一步增強(qiáng)IGBT開通關(guān)斷過程可控性。