功率半導(dǎo)體器件
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202121420943.1 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN215731694U | 公開(公告)日 | 2022-02-01 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN215731694U | 申請(qǐng)公布日 | 2022-02-01 |
分類號(hào) | H01L23/498(2006.01)I;H01L25/07(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 陳超;張海泉;麻長勝;王曉寶;趙善麒 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 江蘇宏微科技股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 常州佰業(yè)騰飛專利代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 陳紅橋 |
地址 | 213022江蘇省常州市新北區(qū)華山中路18號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實(shí)用新型提供了一種功率半導(dǎo)體器件,包括:上橋臂單元包括第一功率金屬箔片、第二功率金屬箔片和第三功率金屬箔片,其中,第三功率金屬箔片上設(shè)置有對(duì)稱分布的第一突出結(jié)構(gòu)和第二突出結(jié)構(gòu),其上規(guī)律并且對(duì)稱地排布有數(shù)量相同的第一功率半導(dǎo)體芯片,第一功率金屬箔片與第三功率金屬箔片相連,并且第二功率金屬箔片與第三功率金屬箔片相連;下橋臂單元包括第四功率金屬箔片,在遠(yuǎn)離第三功率金屬箔片的方向延伸設(shè)置有第三突出結(jié)構(gòu)和第四突出結(jié)構(gòu),并且在靠近第一功率半導(dǎo)體芯片的位置設(shè)置有源極連接區(qū)域,其中,第三突出結(jié)構(gòu)和第四突出結(jié)構(gòu)上規(guī)律并且對(duì)稱地排布有數(shù)量相同的第二功率半導(dǎo)體芯片。由此,能夠有效地降低功率半導(dǎo)體器件內(nèi)部的雜散電感。 |
