flash檢測方法及其檢測系統(tǒng)
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110773246.2 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113421606A | 公開(公告)日 | 2021-09-21 |
申請公布號 | CN113421606A | 申請公布日 | 2021-09-21 |
分類號 | G11C29/08(2006.01)I | 分類 | 信息存儲; |
發(fā)明人 | 楊磊 | 申請(專利權(quán))人 | 成都盛芯微科技有限公司 |
代理機構(gòu) | - | 代理人 | - |
地址 | 610041四川省成都市高新區(qū)天府五街200號1號樓A區(qū)4樓 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種flash檢測方法及其檢測系統(tǒng),涉及存儲技術(shù)領(lǐng)域。該flash檢測方法包括以下步驟:S1、檢測芯片內(nèi)部是否包括flash存儲器:若否,則進(jìn)入步驟S5;若是,則進(jìn)入步驟S2;S2、讀取所述flash存儲器的存儲內(nèi)容;S3、將所述flash存儲器內(nèi)的存儲內(nèi)容通過預(yù)設(shè)的計算方法進(jìn)行計算,并將存儲內(nèi)容計算結(jié)果與預(yù)存的校驗值進(jìn)行對比;S4、判斷所述存儲內(nèi)容計算結(jié)果與所述校驗值是否相同:若不相同,則進(jìn)入步驟S5;若相同,則發(fā)送檢測工作完成標(biāo)志;S5、接收外部命令進(jìn)行flash自測:若flash存儲器檢測出壞塊,則標(biāo)記壞塊位置,發(fā)送壞塊位置和檢測工作完成標(biāo)志;若flash存儲器無壞塊,則發(fā)送檢測工作完成標(biāo)志。本發(fā)明的檢測方法簡單、方便,且不受TAP限速。 |
