直接帶隙GeSn互補(bǔ)型TFET
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201710687778.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN107611123A | 公開(kāi)（公告）日 | 2018-01-19 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN107611123A | 申請(qǐng)公布日 | 2018-01-19 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L27/082;H01L29/16;H01L29/161;H01L29/739 | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 張捷 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 合肥矽景電子有限責(zé)任公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 西安嘉思特知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 西安科銳盛創(chuàng)新科技有限公司;合肥矽景電子有限責(zé)任公司 |
| 地址 | 710065 陜西省西安市高新區(qū)高新一路15號(hào)（中航大廈）7層-A009號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種直接帶隙GeSn互補(bǔ)型TFET，包括：Si襯底101；Ge外延層102，設(shè)置于襯底101上表面；GeSn層103，設(shè)置于Ge外延層102上表面；P型基底104、N型基底105，設(shè)置于GeSn層103內(nèi)；第一源區(qū)106、第一漏區(qū)107，設(shè)置于P型基底104內(nèi)并位于兩側(cè)位置處；第二源區(qū)108、第二漏區(qū)109，設(shè)置于N型基底105內(nèi)并位于兩側(cè)位置處；第一源區(qū)電極110，設(shè)置于第一源區(qū)106上表面；第一漏區(qū)電極111，設(shè)置于第一漏區(qū)107上表面；第二源區(qū)電極112，設(shè)置于第二源區(qū)108上表面；第二漏區(qū)電極113，設(shè)置于第二漏區(qū)109上表面。本發(fā)明采用晶化Ge層為Ge外延層，可有效降低Ge外延層的位錯(cuò)密度、表面粗糙度、界面缺陷，提升Ge外延層的質(zhì)量從而得到更高質(zhì)量的GeSn外延層，為高性能TFET的制備提供物質(zhì)基礎(chǔ)。 |
