直接帶隙GeSn互補型TFET

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710687778.8 申請日 -
公開（公告）號 CN107611123B 公開（公告）日 2019-12-24
申請公布號 CN107611123B 申請公布日 2019-12-24
分類號 H01L27/082;H01L29/16;H01L29/161;H01L29/739 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張捷 申請（專利權）人 合肥矽景電子有限責任公司
代理機構 北京同輝知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 合肥矽景電子有限責任公司
地址 230000 安徽省合肥市高新區(qū)望江西路800號創(chuàng)新產業(yè)園A3樓516室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種直接帶隙GeSn互補型TFET，包括：Si襯底101；Ge外延層102，設置于襯底101上表面；GeSn層103，設置于Ge外延層102上表面；P型基底104、N型基底105，設置于GeSn層103內；第一源區(qū)106、第一漏區(qū)107，設置于P型基底104內并位于兩側位置處；第二源區(qū)108、第二漏區(qū)109，設置于N型基底105內并位于兩側位置處；第一源區(qū)電極110，設置于第一源區(qū)106上表面；第一漏區(qū)電極111，設置于第一漏區(qū)107上表面；第二源區(qū)電極112，設置于第二源區(qū)108上表面；第二漏區(qū)電極113，設置于第二漏區(qū)109上表面。本發(fā)明采用晶化Ge層為Ge外延層，可有效降低Ge外延層的位錯密度、表面粗糙度、界面缺陷，提升Ge外延層的質量從而得到更高質量的GeSn外延層，為高性能TFET的制備提供物質基礎。