一種溝槽型器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202121392315.7 申請日 -
公開（公告）號 CN215644503U 公開（公告）日 2022-01-25
申請公布號 CN215644503U 申請公布日 2022-01-25
分類號 H01L29/739（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 周宏偉;劉杰;潘敏智 申請（專利權(quán)）人 樂山無線電股份有限公司
代理機構(gòu) 四川力久律師事務(wù)所 代理人 張浩
地址 614000四川省樂山市人民西路287號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及一種溝槽型器件，包含第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)襯底，所述第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)襯底的上設(shè)有第二導(dǎo)電類型體區(qū)，所述第二導(dǎo)電類型體區(qū)內(nèi)設(shè)有介質(zhì)層；柵極多晶層與發(fā)射極多晶層被介質(zhì)層包裹構(gòu)成等間距的三溝槽結(jié)構(gòu)；所述阻擋層則位于發(fā)射極多晶層下方；在第二導(dǎo)電類型體區(qū)表面設(shè)有第一導(dǎo)電類型發(fā)射極與第二導(dǎo)電類型發(fā)射極；所述保護層位于第一導(dǎo)電類型漂移區(qū)襯底表面上方；所述金屬導(dǎo)電層則位于保護層上方并與第一導(dǎo)電類型發(fā)射極、第二導(dǎo)電類型發(fā)射極和發(fā)射極多晶層相連。通過利用阻擋層，改變空穴流出路徑，優(yōu)化器件內(nèi)部的載流子分布。增強了載流子注入效應(yīng)，能夠降低IGBT的導(dǎo)通損耗。