一種碳化硅功率件中鈍化結(jié)構(gòu)的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210225676.5 申請日 -
公開（公告）號 CN114724933A 公開（公告）日 2022-07-08
申請公布號 CN114724933A 申請公布日 2022-07-08
分類號 H01L21/04（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 周宏偉;高建寧;何歡;潘敏智 申請（專利權(quán)）人 樂山無線電股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 四川力久律師事務(wù)所 代理人 -
地址 614000四川省樂山市人民西路287號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明一種碳化硅功率件中鈍化結(jié)構(gòu)的制備方法，主要包括以下步驟：步驟1、在芯片上淀積PA鈍化層；步驟2、在PA鈍化層之上涂布PI鈍化層，并進(jìn)行曝光、顯影處理；步驟3、將所述步驟2得到的物料進(jìn)行烘干處理；步驟4、將步驟3烘干后的物料進(jìn)行刻蝕處理，漏出金屬層。本發(fā)明公開了碳化硅功率件中鈍化結(jié)構(gòu)的制備方法，簡化了傳統(tǒng)的兩次光刻工藝過程，一次光刻工藝即可完成，且不需要使用額外的光刻膠，降低了原料成本，綠色環(huán)保；步驟簡單，有效地減小了質(zhì)量控制的難度，便于推廣應(yīng)用。