一種電力電子用半導(dǎo)體器件及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110522555.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113284940A 公開（公告）日 2021-08-20
申請公布號 CN113284940A 申請公布日 2021-08-20
分類號 H01L29/06;H01L29/40;H01L21/822 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 周宏偉;潘敏智;孔梓瑋 申請（專利權(quán)）人 樂山無線電股份有限公司
代理機構(gòu) 四川力久律師事務(wù)所 代理人 張浩
地址 614000 四川省樂山市人民西路287號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種電力電子用半導(dǎo)體器件及其制作方法。該半導(dǎo)體器件包含第一半導(dǎo)體層；在所述第一半導(dǎo)體層上表面設(shè)有溝槽區(qū)域；包含若干溝槽；所述若干溝槽內(nèi)均填充第一絕緣介質(zhì)材料；排列方式為，沿遠離器件有源區(qū)方向，溝槽的寬度遞減，溝槽的間距遞增，溝槽的深度逐漸變淺；所述溝槽區(qū)域下方設(shè)有終端擴展區(qū)；在遠離器件有源區(qū)的邊緣端設(shè)有截止環(huán)區(qū)域；所述第二介質(zhì)層位于所述溝槽區(qū)域上側(cè)；所述第一導(dǎo)電層位于所述第二介質(zhì)層邊緣上側(cè)；所述第一導(dǎo)電層和所述截止環(huán)區(qū)域以及所述終端擴展區(qū)連接；所述阻擋層位于所述第二介質(zhì)層上側(cè)；所述鈍化層位于所述阻擋層上側(cè)并能夠覆蓋裝置上表面。終端表面電場分布更加均勻，提高了裝置的可靠性。