一種碳化硅功率器件及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202210283714.2 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN114664756A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-06-24 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114664756A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-06-24 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L23/31（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I;H01L23/29（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 何歡;周宏偉;高建寧;潘敏智 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 樂(lè)山無(wú)線電股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 四川力久律師事務(wù)所 | 代理人 | - |
| 地址 | 614000四川省樂(lè)山市人民西路287號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及了一種碳化硅功率器件及其制備方法，包括芯片、PA鈍化層和PI鈍化層；所述芯片由下向上包括依次連接的N+襯底、N?外延層以及金屬層；所述金屬層的面積小于所述N?外延層的面積；所述PA鈍化層淀積在金屬層的表面上以及外露的N?外延層的表面上，所述PA鈍化層的中部設(shè)置有第一凹陷窗口，所述第一凹陷窗口的底面為金屬層的表面；所述PA鈍化層靠近碳化硅功率器件的邊緣區(qū)域設(shè)置有第二凹陷窗口，所述第二凹陷窗口的底面為N?外延層的表面；PI鈍化層淀積在所述PA鈍化層的材料表面并填充于所述第二凹陷窗口的內(nèi)部。提高了器件阻止水汽進(jìn)入器件內(nèi)部侵蝕芯片的能力，增強(qiáng)了器件在極限應(yīng)用場(chǎng)景下的可靠性。 |
