具有疊層有源層的薄膜晶體管及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610020616.4 申請日 -
公開（公告）號 CN105679833B 公開（公告）日 2018-12-11
申請公布號 CN105679833B 申請公布日 2018-12-11
分類號 H01L29/786;H01L21/34;H01L21/02 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 寧洪龍;曾勇;劉賢哲;鄭澤科;姚日暉;蘭林鋒;王磊;徐苗;鄒建華;陶洪;彭俊彪;吳為敬 申請（專利權(quán)）人 廣州華南理工大學資產(chǎn)經(jīng)營有限公司
代理機構(gòu) 廣州市華學知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 華南理工大學;王磊;廣州華南理工大學資產(chǎn)經(jīng)營有限公司
地址 510640 廣東省廣州市天河區(qū)五山路381號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種具有疊層有源層的薄膜晶體管及其制備方法。所述具有疊層有源層的薄膜晶體管由至少兩組子有源層依次疊設沉積構(gòu)成有源層，子有源層包括一層導體/半導體層和一層絕緣層，絕緣層沉積于所述導體/半導體層上。導體/半導體層為具有導體特性或者半導體特性的三元氧化物ABO，絕緣層為具有絕緣體特性的二元氧化物AO，其中A、B分別代表金屬元素；三元氧化物ABO中A元素為Al、Zr、Hf、La或Lu，B元素為Zn或In。有源層通過脈沖激光沉積方式制備而成，且不需要退火。本發(fā)明能夠以低溫工藝制備出高遷移率、高穩(wěn)定性的薄膜晶體管。