光電芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202023334765.9 申請日 -
公開（公告）號 CN213988906U 公開（公告）日 2021-08-17
申請公布號 CN213988906U 申請公布日 2021-08-17
分類號 H01L31/10（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I;H01L21/66（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鄒顏;楊彥偉;張續(xù)朋 申請（專利權(quán)）人 芯思杰技術(shù)（深圳）股份有限公司
代理機構(gòu) 深圳智匯遠(yuǎn)見知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 艾青;牛悅涵
地址 518000廣東省深圳市南山區(qū)學(xué)苑大道1001號南山智園A5棟4樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及芯片測試技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種光電芯片。光電芯片包括：第一區(qū)域、第二區(qū)域、以及第三區(qū)域；其中，第一區(qū)域包括襯底、設(shè)于襯底上的外延結(jié)構(gòu)、以及設(shè)于外延結(jié)構(gòu)上的掩蔽膜；第二區(qū)域包括襯底、設(shè)于襯底上的外延結(jié)構(gòu)、以及設(shè)于外延結(jié)構(gòu)上的第一擴散摻雜層；第三區(qū)域包括襯底、設(shè)于襯底上的外延結(jié)構(gòu)、以及設(shè)于外延結(jié)構(gòu)上的第二擴散摻雜層；第一擴散摻雜層與第二擴散摻雜層彼此間隔分開。本實用新型提供的光電芯片通過形成第一擴散摻雜層和第二擴散摻雜層，在第一擴散摻雜層上對光電芯片的性能和參數(shù)進(jìn)行測試，避免由于探針的針尖直徑過大或探針不能直接對第二擴散區(qū)進(jìn)行探測，不便于檢測光電芯片的性能；提高光電芯片的良品率。