一種鍍膜裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202023229786.4 申請日 -
公開（公告）號 CN214218856U 公開（公告）日 2021-09-17
申請公布號 CN214218856U 申請公布日 2021-09-17
分類號 C23C16/50（2006.01）I;C23C16/458（2006.01）I;C23C16/34（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 劉亮;楊彥偉;鄒顏 申請（專利權）人 芯思杰技術（深圳）股份有限公司
代理機構 深圳智匯遠見知識產權代理有限公司 代理人 艾青;牛悅涵
地址 518000廣東省深圳市南山區(qū)學苑大道1001號南山智園A5棟4樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及太陽能電池技術領域，具體涉及一種鍍膜裝置。鍍膜裝置包括載板以及輔助部件，載板上開設有凹槽，輔助部件位于凹槽內，輔助部件與凹槽的內壁之間形成一用于放置基片的鍍膜空間，且鍍膜空間與基片的形狀相適配。上述鍍膜裝置，輔助部件與凹槽的內壁之間形成一與基片的形狀相適配的鍍膜空間，不僅完整基片在鍍膜時的邊沿色差有所改善，而且非標準基片在鍍膜時的邊沿色差也有所改善，只需通過設置在凹槽內的輔助部件，由于輔助部件與凹槽的內壁之間形成合適的鍍膜空間，如此，淀積氮化硅的邊沿效益只會出現(xiàn)在輔助部件上，而不會影響基片，從而避免氮化硅的堆積對等離子場淀積到基片表面的影響，有效改善在鍍膜過程中邊沿色差的問題。