光探測(cè)器芯片陣列

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202023332898.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN213988887U 公開（公告）日 2021-08-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN213988887U 申請(qǐng)公布日 2021-08-17
分類號(hào) H01L27/142（2014.01）I;H01L31/107（2006.01）I;H01L31/0224（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊彥偉;劉宏亮;鄒顏;張續(xù)朋 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 芯思杰技術(shù)（深圳）股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳智匯遠(yuǎn)見知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 艾青;牛悅涵
地址 518000廣東省深圳市南山區(qū)學(xué)苑大道1001號(hào)南山智園A5棟4樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及探測(cè)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種光探測(cè)器芯片陣列。光探測(cè)器芯片陣列包括：多個(gè)雪崩光探測(cè)器芯片單元，雪崩光探測(cè)器芯片單元包括光敏面和電極層；電極層包括電極環(huán)和電極焊盤，電極環(huán)圍繞光敏面設(shè)置，電極焊盤與電極環(huán)電連接；多個(gè)光敏面呈直線線陣排布，相鄰兩個(gè)光敏面之間具有間隔間距。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的光探測(cè)器芯片陣列通過將多個(gè)光敏面呈直線線陣排布，且相鄰兩個(gè)光敏面之間具有間隔間距，從而有效地提升了激光雷達(dá)的探測(cè)分辨率，并且由于直接采用雪崩光探測(cè)器芯片組成陣列，也大大縮小了采用器件組裝空間，從而有效的解決了激光探測(cè)分辨率差、雪崩光探測(cè)器集成芯片體積大的問題。