光探測器芯片陣列

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202023332898.2 申請日 -
公開（公告）號 CN213988887U 公開（公告）日 2021-08-17
申請公布號 CN213988887U 申請公布日 2021-08-17
分類號 H01L27/142（2014.01）I;H01L31/107（2006.01）I;H01L31/0224（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊彥偉;劉宏亮;鄒顏;張續(xù)朋 申請（專利權(quán)）人 芯思杰技術(shù)（深圳）股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳智匯遠(yuǎn)見知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 艾青;牛悅涵
地址 518000廣東省深圳市南山區(qū)學(xué)苑大道1001號南山智園A5棟4樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及探測設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種光探測器芯片陣列。光探測器芯片陣列包括：多個雪崩光探測器芯片單元，雪崩光探測器芯片單元包括光敏面和電極層；電極層包括電極環(huán)和電極焊盤，電極環(huán)圍繞光敏面設(shè)置，電極焊盤與電極環(huán)電連接；多個光敏面呈直線線陣排布，相鄰兩個光敏面之間具有間隔間距。本實用新型實施例提供的光探測器芯片陣列通過將多個光敏面呈直線線陣排布，且相鄰兩個光敏面之間具有間隔間距，從而有效地提升了激光雷達(dá)的探測分辨率，并且由于直接采用雪崩光探測器芯片組成陣列，也大大縮小了采用器件組裝空間，從而有效的解決了激光探測分辨率差、雪崩光探測器集成芯片體積大的問題。