一種用于刻蝕二氧化硅掩膜的漿料的清洗工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200910037424.4 申請日 -
公開（公告）號 CN101494252B 公開（公告）日 2010-06-09
申請公布號 CN101494252B 申請公布日 2010-06-09
分類號 H01L31/18(2006.01)I;B08B3/00(2006.01)I;B08B3/02(2006.01)I;B08B3/12(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 樸松源;李靜;郭育林 申請（專利權(quán)）人 揚州晶澳太陽能研發(fā)有限公司
代理機構(gòu) 廣州知友專利商標代理有限公司 代理人 晶澳（揚州）太陽能科技有限公司;上海晶澳太陽能科技有限公司;晶澳太陽能有限公司
地址 225131 江蘇省揚州市揚州經(jīng)濟開發(fā)區(qū)建華路1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種在選擇性發(fā)射極太陽電池制造過程中用于刻蝕二氧化硅掩膜的漿料的清洗工藝，包括以下步驟：(1)快排加沖淋：采用快排加沖淋的方式快速將硅片表面大部分的漿料及反應物去除并排出；(2)超聲波清洗：將快排加沖淋后的硅片放入超聲波清洗機中，用超聲波把殘留在硅片表面的漿料清洗掉；(3)快排加沖淋：采用快排加沖淋的方式快速排出硅片表面經(jīng)超聲波清洗后仍然附著其上的雜質(zhì)。與現(xiàn)在普遍采用的用于刻蝕二氧化硅掩膜的漿料的清洗工藝相比，本發(fā)明可徹底清除掉硅片表面的各種雜質(zhì)，杜絕了其對后續(xù)工藝及最終電池片性能的影響。