一種選擇性發(fā)射極太陽電池制造過程中的氧化硅生成工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200810207488.X 申請日 -
公開（公告）號 CN101447529A 公開（公告）日 2009-06-03
申請公布號 CN101447529A 申請公布日 2009-06-03
分類號 H01L31/18(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 郝江波;李靜;周鵬宇 申請（專利權(quán)）人 揚州晶澳太陽能研發(fā)有限公司
代理機構(gòu) 廣州知友專利商標代理有限公司 代理人 上海晶澳太陽能光伏科技有限公司
地址 200436上海市閘北區(qū)江場三路36號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種選擇性發(fā)射極太陽電池制作過程中的氧化硅生成工藝，通過最優(yōu)化整個氧化工藝過程中溫度，氣流量，氧化時間等重要參數(shù)可以在硅片表面生長出致密的，穩(wěn)定的氧化薄膜去阻止磷源進入硅片，然后結(jié)合相關的刻蝕手段即可實現(xiàn)硅片表面局部重擴散和輕擴散的目的。