一種選擇性發(fā)射極太陽電池制造過程中的重擴散和輕擴散工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200910037425.9 申請日 -
公開（公告）號 CN101494253B 公開（公告）日 2010-07-14
申請公布號 CN101494253B 申請公布日 2010-07-14
分類號 H01L31/18(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李靜;周鵬宇 申請（專利權(quán)）人 揚州晶澳太陽能研發(fā)有限公司
代理機構(gòu) 廣州知友專利商標代理有限公司 代理人 晶澳（揚州）太陽能科技有限公司;上海晶澳太陽能科技有限公司;晶澳太陽能有限公司
地址 225131 江蘇省揚州市揚州經(jīng)濟開發(fā)區(qū)建華路1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種選擇性發(fā)射極太陽電池制造過程中的重擴散和輕擴散工藝，重擴散工藝應(yīng)用在電極柵線下及其附近，輕擴散工藝應(yīng)用在非電極柵線區(qū)域，通過改變兩步擴散工藝的溫度，氣流量和工藝時間使得在電極柵線下及其附近形成高摻雜深擴散區(qū)，在非電極柵線區(qū)域形成低摻雜淺擴散區(qū)。本發(fā)明解決了傳統(tǒng)一步擴散工藝無法同時降低硅片表面接觸電阻和減少死層的問題，對晶體硅太陽能電池整體性能的提高有著重要的作用。