一種選擇性發(fā)射極太陽電池制造過程中的氧化硅生成工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200810207488.X 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN101447529B 公開（公告）日 2010-09-08
申請公布號(hào) CN101447529B 申請公布日 2010-09-08
分類號(hào) H01L31/18(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 郝江波;李靜;周鵬宇 申請（專利權(quán)）人 揚(yáng)州晶澳太陽能研發(fā)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州知友專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 上海晶澳太陽能光伏科技有限公司
地址 200436 上海市閘北區(qū)江場三路36號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種選擇性發(fā)射極太陽電池制造過程中的氧化硅生成工藝，通過最優(yōu)化整個(gè)氧化工藝過程中溫度，氣流量，氧化時(shí)間等重要參數(shù)可以在硅片表面生長出致密的，穩(wěn)定的氧化薄膜去阻止磷源進(jìn)入硅片，然后結(jié)合相關(guān)的刻蝕手段即可實(shí)現(xiàn)硅片表面局部重?cái)U(kuò)散和輕擴(kuò)散的目的。