半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110951715.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113410129B 公開（公告）日 2021-11-23
申請公布號 CN113410129B 申請公布日 2021-11-23
分類號 H01L21/02（2006.01）I;H01L21/311（2006.01）I;H01L21/027（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 趙奐 申請（專利權(quán)）人 康希通信科技（上海）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市嘉勤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 董琳
地址 200000上海市浦東新區(qū)郭守敬路498號22501室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，方法包括：提供芯片和表面涂敷有導(dǎo)電銀漿層的封裝基板，芯片具有焊墊，且第一表面處具有通孔，通孔的底部開口暴露焊墊，通孔內(nèi)側(cè)壁、底部開口處的焊墊表面及第一表面處均覆蓋有金屬層；將導(dǎo)電塊卡設(shè)在通孔內(nèi)；將第一表面朝向封裝基板設(shè)置，并保持第一表面處的金屬層與導(dǎo)電銀漿層接觸；在第一溫度下對導(dǎo)電銀漿層進(jìn)行固化以使得第一表面處的金屬層與導(dǎo)電銀漿層形成固定連接，且導(dǎo)電塊在第一溫度下至少部分融化以形成第一導(dǎo)電體，第一導(dǎo)電體與導(dǎo)電銀漿層及通孔內(nèi)側(cè)壁的金屬層相接觸以實現(xiàn)電連接。本發(fā)明通過導(dǎo)電塊融化后與導(dǎo)電銀漿層及金屬層相接觸以增大接觸面積，提高了芯片的散熱和抗干擾能力。