高壓變頻調(diào)速器的旁路電路
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN02100667.9 | 申請日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN1248395C | 公開(公告)日 | 2006-03-29 |
申請公布號(hào) | CN1248395C | 申請公布日 | 2006-03-29 |
分類號(hào) | H02M1/00;H02M5/44;H02M1/32;H02M5/00 | 分類 | 發(fā)電、變電或配電; |
發(fā)明人 | 倚鵬 | 申請(專利權(quán))人 | 北京匯橋私募基金管理有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京北新智誠知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 趙郁軍 |
地址 | 102200北京市昌平區(qū)昌平科技園白浮泉路10號(hào)北控大廈10層1003B | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種低成本、工作可靠的針對功率模塊串聯(lián)高壓變頻調(diào)速器的旁路電路。它包括并聯(lián)在高壓變頻調(diào)速器輸出側(cè)每一功率模塊旁的二極管整流橋和可控硅,以及一預(yù)充電電路。所述預(yù)充電電路由串聯(lián)在變頻器直流母線與可控硅之間的第一預(yù)充電部分和與可控硅并聯(lián)的第二預(yù)充電部分組成。本發(fā)明通過預(yù)充電電路,使旁路電路中的可控硅在系統(tǒng)剛上電時(shí),可控硅兩端的電壓即被預(yù)充電到直流母線電壓值,從而避免在功率模塊開關(guān)瞬間可控硅因承受超過其耐受能力的dv/dt值而被誤導(dǎo)通,造成逆變橋輸出側(cè)短路,引起功率模塊故障,解決了可控硅耐受dv/dt太高的問題。 |
