存儲單元的讀取電壓優(yōu)化方法、3D存儲器的控制器及其操作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110441613.9 申請日 -
公開（公告）號 CN113223593A 公開（公告）日 2021-08-06
申請公布號 CN113223593A 申請公布日 2021-08-06
分類號 G11C16/26（2006.01）I;G11C16/34（2006.01）I;G06F11/10（2006.01）I 分類 信息存儲;
發(fā)明人 張旭航;喻小帆;肖自鏵;曹芮 申請（專利權(quán)）人 聯(lián)蕓科技（杭州）股份有限公司
代理機構(gòu) 北京成創(chuàng)同維知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉靜;李秀霞
地址 310051浙江省杭州市濱江區(qū)阡陌路459號聚光中心C1座6樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種存儲單元的讀取電壓優(yōu)化方法，存儲單元選自與選定物理頁對應(yīng)的多個存儲單元；讀取電壓的優(yōu)化方法包括：對具有第一閾值電壓的存儲單元的數(shù)量進(jìn)行統(tǒng)計，得到第一數(shù)量；對具有第二閾值電壓的存儲單元的數(shù)量進(jìn)行統(tǒng)計，得到第二數(shù)量；基于第一數(shù)量、第二數(shù)量以及調(diào)節(jié)參數(shù)，設(shè)置最優(yōu)讀取電壓；其中，根據(jù)數(shù)據(jù)保存時間、讀干擾、交叉溫度和編程/擦除次數(shù)的不同，設(shè)置不同的調(diào)節(jié)參數(shù)；本發(fā)明提供的存儲單元的讀取電壓優(yōu)化方法、3D存儲器的控制器及其操作方法，在設(shè)置最優(yōu)讀取電壓時，只需讀取有限次數(shù)，有效降低了確定最優(yōu)讀取電壓的時延，并且基于讀干擾、編程/擦除次數(shù)等參數(shù)來設(shè)置調(diào)節(jié)參數(shù)，提高產(chǎn)品的準(zhǔn)確性和可靠性。