一種多晶硅及其制備方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201711313319.X | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN107777689A | 公開(公告)日 | 2018-03-09 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN107777689A | 申請(qǐng)公布日 | 2018-03-09 |
分類號(hào) | C01B33/035 | 分類 | 無機(jī)化學(xué); |
發(fā)明人 | 王建鑫;郭曉剛;吳一兵 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 江西賽維LDK光伏硅科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | 郝傳鑫;熊永強(qiáng) |
地址 | 338000 江西省新余市高新經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)馬洪工業(yè)基地賽維工業(yè)園專利辦公室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供了一種多晶硅的制備方法,包括以下步驟:提供多晶硅反應(yīng)爐,所述多晶硅反應(yīng)爐中設(shè)有與電極連接的熱載體,所述熱載體包括鎢絲和與所述鎢絲連接的金屬管,所述金屬管的材質(zhì)包括鉭、鉬和鈦中的至少一種;將所述熱載體通電加熱,當(dāng)所述熱載體溫度達(dá)到1000?1100℃時(shí),向所述多晶硅反應(yīng)爐中通入原料氣體,所述原料氣體在所述熱載體表面沉積生成棒狀多晶硅。本發(fā)明提供的多晶硅的制備方法,不再需要高電壓擊穿及預(yù)加熱器擊穿硅芯的工藝方式,優(yōu)化了運(yùn)行前的反應(yīng)器準(zhǔn)備時(shí)間,提高了多晶硅的生產(chǎn)效率,降低了電氣控制系統(tǒng)的復(fù)雜性及故障率,制備方法簡單易操作。本發(fā)明還提供了上述制備方法制得的多晶硅。 |
