金屬氮化鎵復合襯底外延生長方法及發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910908504.6 申請日 -
公開（公告）號 CN110707184A 公開（公告）日 2021-06-18
申請公布號 CN110707184A 申請公布日 2021-06-18
分類號 H01L33/00;H01L33/32 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 郭麗彬;唐軍 申請（專利權(quán)）人 合肥彩虹藍光科技有限公司
代理機構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王華英
地址 230011 安徽省合肥市合肥新站區(qū)工業(yè)園內(nèi)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種金屬氮化鎵復合襯底外延生長方法，所述生長方法包括，提供一金屬氮化鎵復合襯底，于所述金屬氮化鎵復合襯底上形成一低溫應力層，于所述低溫應力層上形成第一半導體層，于所述第一半導體層上形成有源區(qū)量子阱層，于所述有源區(qū)量子阱層上形成第二半導體層，其中，所述襯底在生長溫度介于700至750℃之間進行退火處理，所述低溫應力層在生長溫度介于700至850℃之間的條件下進行生長。利用本發(fā)明，可有效減少襯底的較大翹曲問題，更有利于應力的釋放，顯著改善襯底的外延層外觀，減少外延層鼓泡、起皮及裂紋的現(xiàn)象，改善晶體質(zhì)量。