金屬氮化鎵復(fù)合襯底外延生長(zhǎng)方法及發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910908504.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN110707184A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-06-18 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN110707184A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-06-18 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L33/00;H01L33/32 | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 郭麗彬;唐軍 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 合肥彩虹藍(lán)光科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海光華專(zhuān)利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 王華英 |
| 地址 | 230011 安徽省合肥市合肥新站區(qū)工業(yè)園內(nèi) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種金屬氮化鎵復(fù)合襯底外延生長(zhǎng)方法，所述生長(zhǎng)方法包括，提供一金屬氮化鎵復(fù)合襯底，于所述金屬氮化鎵復(fù)合襯底上形成一低溫應(yīng)力層，于所述低溫應(yīng)力層上形成第一半導(dǎo)體層，于所述第一半導(dǎo)體層上形成有源區(qū)量子阱層，于所述有源區(qū)量子阱層上形成第二半導(dǎo)體層，其中，所述襯底在生長(zhǎng)溫度介于700至750℃之間進(jìn)行退火處理，所述低溫應(yīng)力層在生長(zhǎng)溫度介于700至850℃之間的條件下進(jìn)行生長(zhǎng)。利用本發(fā)明，可有效減少襯底的較大翹曲問(wèn)題，更有利于應(yīng)力的釋放，顯著改善襯底的外延層外觀，減少外延層鼓泡、起皮及裂紋的現(xiàn)象，改善晶體質(zhì)量。 |
