一種發(fā)光二極管芯片及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811510747.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109326701B 公開（公告）日 2020-12-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN109326701B 申請(qǐng)公布日 2020-12-18
分類號(hào) H01L33/36;H01L33/40;H01L33/30;H01L33/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張洪波;吳化勝;劉亞柱 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 合肥彩虹藍(lán)光科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 合肥彩虹藍(lán)光科技有限公司
地址 230011 安徽省合肥市合肥新站區(qū)工業(yè)園內(nèi)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管芯片制備方法，該制備方法包括，提供一襯底；于所述襯底上形成第一半導(dǎo)體層；于所述第一半導(dǎo)體層上形成發(fā)光層；于所述發(fā)光層上形成第二半導(dǎo)體層；于所述第二半導(dǎo)體層上形成透明導(dǎo)電層；于所述第一半導(dǎo)體層上形成第一電極，所述透明導(dǎo)電層上形成第二電極，其中所述第一電極和第二電極的結(jié)構(gòu)包括多個(gè)導(dǎo)電層，所述多個(gè)導(dǎo)電層中的最外一層為金屬鈦層，所述金屬鈦層的厚度為根據(jù)該制備方法制備出的發(fā)光二極管芯片，可改善芯片老化性能，有效的降低電壓。