一種深紫外LED芯片的制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710388108.6 申請日 -
公開（公告）號 CN108963037B 公開（公告）日 2021-04-27
申請公布號 CN108963037B 申請公布日 2021-04-27
分類號 H01L33/00;H01L21/027 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 吳永軍;劉亞柱;唐軍;呂振興 申請（專利權(quán)）人 合肥彩虹藍(lán)光科技有限公司
代理機構(gòu) 合肥和瑞知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王挺;魏玉嬌
地址 315336 浙江省寧波市杭州灣新區(qū)玉海東路136號數(shù)字經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)園B區(qū)14號樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種深紫外LED芯片的制造方法，包括步驟：S1、按照第一指定圖形對所述深紫外LED芯片進(jìn)行Mesa光刻，將Mesa光刻的部分作為所述深紫外LED芯片的N面，未進(jìn)行Mesa光刻的部分作為所述深紫外LED芯片的P面；S2、將所述深紫外LED芯片外延層的外周按第一預(yù)設(shè)寬度向下蝕刻至藍(lán)寶石層；S3、在所述P面上按照第二指定圖形蒸鍍P極金屬；S4、在所述N面上蒸鍍N極金屬；S5、蒸鍍絕緣層，并將所述絕緣層按照第三指定圖形內(nèi)的部分進(jìn)行挖孔去除形成電極孔；S6、按第四指定圖形蒸鍍焊接第一金屬電極和第二金屬電極，所述第一金屬電極通過所述電極孔和所述P極金屬相連，所述第二金屬電極通過所述電極孔和所述N極金屬相連，形成所述深紫外LED芯片。