一種深紫外LED芯片的制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710388108.6 申請日 -
公開（公告）號 CN108963037B 公開（公告）日 2021-04-27
申請公布號 CN108963037B 申請公布日 2021-04-27
分類號 H01L33/00;H01L21/027 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 吳永軍;劉亞柱;唐軍;呂振興 申請（專利權）人 合肥彩虹藍光科技有限公司
代理機構 合肥和瑞知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 王挺;魏玉嬌
地址 315336 浙江省寧波市杭州灣新區(qū)玉海東路136號數(shù)字經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)園B區(qū)14號樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種深紫外LED芯片的制造方法，包括步驟：S1、按照第一指定圖形對所述深紫外LED芯片進行Mesa光刻，將Mesa光刻的部分作為所述深紫外LED芯片的N面，未進行Mesa光刻的部分作為所述深紫外LED芯片的P面；S2、將所述深紫外LED芯片外延層的外周按第一預設寬度向下蝕刻至藍寶石層；S3、在所述P面上按照第二指定圖形蒸鍍P極金屬；S4、在所述N面上蒸鍍N極金屬；S5、蒸鍍絕緣層，并將所述絕緣層按照第三指定圖形內的部分進行挖孔去除形成電極孔；S6、按第四指定圖形蒸鍍焊接第一金屬電極和第二金屬電極，所述第一金屬電極通過所述電極孔和所述P極金屬相連，所述第二金屬電極通過所述電極孔和所述N極金屬相連，形成所述深紫外LED芯片。