發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811510723.0 申請日 -
公開（公告）號 CN109638129B 公開（公告）日 2021-04-27
申請公布號 CN109638129B 申請公布日 2021-04-27
分類號 H01L33/32;H01L33/02;H01L33/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 郭麗彬;周長健;程斌 申請（專利權(quán)）人 合肥彩虹藍(lán)光科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 合肥和瑞知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王挺;魏玉嬌
地址 315336 浙江省寧波市杭州灣新區(qū)玉海東路136號數(shù)字經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)園B區(qū)14號樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)的制備方法，所述方法包括，提供一襯底，其中所述襯底上設(shè)有第一電極；在所述襯底上形成N型半導(dǎo)體層；在所述N型半導(dǎo)體層上形成發(fā)光層；在所述發(fā)光層上形成P型半導(dǎo)體層；在所述P型半導(dǎo)體層上形成P型接觸層；其中所述P型接觸層的生長速率小于0.35um/h，且厚度小于等于并具有鎂的摻雜濃度大于等于1.00E+20atoms/cm3。利用本發(fā)明，可有效改善器件冷熱比性能，提高器件的光電效應(yīng)，獲得光電性能良好的發(fā)光二極管。