發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)的制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201811510723.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN109638129B | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-04-27 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN109638129B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-04-27 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L33/32;H01L33/02;H01L33/00 | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 郭麗彬;周長(zhǎng)健;程斌 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 合肥彩虹藍(lán)光科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 合肥和瑞知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 王挺;魏玉嬌 |
| 地址 | 315336 浙江省寧波市杭州灣新區(qū)玉海東路136號(hào)數(shù)字經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)園B區(qū)14號(hào)樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)的制備方法，所述方法包括，提供一襯底，其中所述襯底上設(shè)有第一電極；在所述襯底上形成N型半導(dǎo)體層；在所述N型半導(dǎo)體層上形成發(fā)光層；在所述發(fā)光層上形成P型半導(dǎo)體層；在所述P型半導(dǎo)體層上形成P型接觸層；其中所述P型接觸層的生長(zhǎng)速率小于0.35um/h，且厚度小于等于并具有鎂的摻雜濃度大于等于1.00E+20atoms/cm3。利用本發(fā)明，可有效改善器件冷熱比性能，提高器件的光電效應(yīng)，獲得光電性能良好的發(fā)光二極管。 |
