一種利用原子層沉積包覆納米淀粉微球的方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202010231957.2 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN111304634B | 公開(公告)日 | 2022-05-13 |
申請公布號 | CN111304634B | 申請公布日 | 2022-05-13 |
分類號 | C23C16/455(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I;A61K41/00(2020.01)I;A61K9/50(2006.01)I;A61K47/36(2006.01)I;A61K47/02(2006.01)I;B82Y25/00(2011.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 分類 | 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴(kuò)散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
發(fā)明人 | 陳蓉;閆占奎;劉瀟;單斌 | 申請(專利權(quán))人 | 華中科技大學(xué)無錫研究院 |
代理機(jī)構(gòu) | 無錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | - |
地址 | 214174江蘇省無錫市惠山區(qū)堰新路329號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明屬于納米淀粉微球改性技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種利用原子層沉積包覆納米淀粉微球的方法。本發(fā)明通過將納米淀粉微球置于超聲垂直流化原子層沉積設(shè)備中,開啟超聲振動(dòng),在適當(dāng)?shù)姆磻?yīng)溫度和壓力下,選擇合適活性與蒸汽壓的前驅(qū)體交替通入,在納米淀粉微球表面通過活性官能團(tuán)的交換形成單層化學(xué)吸附并完成自限制化學(xué)半反應(yīng),生成致密的薄膜,對表面的各個(gè)部位進(jìn)行厚度均勻一致的薄膜包覆。本發(fā)明采用原子層沉積技術(shù)生成的納米薄膜包覆均勻性較高,尤其對于顆粒較小的納米淀粉微球可實(shí)現(xiàn)其均勻包覆,形成的納米薄膜結(jié)構(gòu)致密,具有均勻的厚度、優(yōu)異的一致性,由于其反應(yīng)機(jī)理的特點(diǎn),可實(shí)現(xiàn)對不同粒徑納米淀粉微球的包覆。 |
