一種爐外精煉提純工業(yè)硅熔體的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201310020851.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN103058200B 公開（公告）日 2016-03-30
申請(qǐng)公布號(hào) CN103058200B 申請(qǐng)公布日 2016-03-30
分類號(hào) C01B33/037(2006.01)I 分類 無(wú)機(jī)化學(xué);
發(fā)明人 馬文會(huì);魏奎先;周繼紅;王統(tǒng);張龍;謝克強(qiáng);周陽(yáng);伍繼君;楊斌;戴永年 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 云南宏盛錦盟企業(yè)集團(tuán)有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 650093 云南省昆明市五華區(qū)學(xué)府路253號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種爐外精煉提純工業(yè)硅熔體的方法，經(jīng)過下列步驟：往抬包內(nèi)通入空氣，再將礦熱爐內(nèi)的硅熔體釋放到抬包內(nèi)，對(duì)抬包內(nèi)的硅熔體進(jìn)行微波加熱，保持硅熔體的爐外精煉溫度進(jìn)行爐外吹氣、造渣精煉0.5～10h；待爐外精煉完畢后，進(jìn)行渣硅分離，再進(jìn)行澆注，即完成爐外精煉提純工業(yè)硅熔體。通過上述爐外精煉過程，可以去除工業(yè)硅熔體中包括Al、Ca、Ti、Na、Mg在內(nèi)的大部分金屬雜質(zhì)和部分B、P、S、C等非金屬雜質(zhì)，同時(shí)可以為后續(xù)的工業(yè)硅提純控制有效的成分，為冶金法制備太陽(yáng)能級(jí)硅提供高品質(zhì)的原料。本發(fā)明具備充分利用和節(jié)約能源、生產(chǎn)效率高、基建投資較少、環(huán)境無(wú)污染等特點(diǎn)。