一種橫向鍺探測器結構及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810956083.X 申請日 -
公開（公告）號 CN109103283B 公開（公告）日 2018-12-28
申請公布號 CN109103283B 申請公布日 2018-12-28
分類號 H01L31/0328(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳昌華;魏江鑌;仇超;柏艷飛;甘甫烷 申請（專利權）人 南通賽勒光電科技有限公司
代理機構 上海申新律師事務所 代理人 南通賽勒光電科技有限公司
地址 226000江蘇省南通市蘇通科技產業(yè)園1088號江成研發(fā)園內4號樓北樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明包括一種橫向鍺探測器結構及制備方法，其中，橫向鍺探測器結構為橫向光電二極管，包括硅襯底；硅氧化層沉積于硅襯底的上表面；硅氧化層包括頂層硅；鍺層形成于頂層硅的上表面，鍺層包括鍺層主體，以及由鍺層主體分別向兩側延伸的第一延伸部與第二延伸部，于第一延伸部與第二延伸部分別形成第一摻雜區(qū)域與第二摻雜區(qū)域，于第一摻雜區(qū)域與第二摻雜區(qū)域的上表面分別形成第一電極與第二電極；氮化硅波導形成于鍺層的上方，氮化硅波導為錐形結構。有益效果：通過改造鍺層結構，有效增強氮化硅波導耦合至鍺探測器的耦合效率，可以實現(xiàn)光復用器與光解復用器與鍺探測器的有效集成，還可以應用于高光功率及高帶寬的光電探測領域中。??