一種氮化硅耦合鍺探測器結構及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810954990.0 申請日 -
公開（公告）號 CN109148619B 公開（公告）日 2020-08-07
申請公布號 CN109148619B 申請公布日 2020-08-07
分類號 H01L31/0232;H01L31/103;H01L31/18 分類 -
發(fā)明人 陳昌華;魏江鑌;仇超;柏艷飛;甘甫烷 申請（專利權）人 南通賽勒光電科技有限公司
代理機構 上海申新律師事務所 代理人 南通賽勒光電科技有限公司
地址 226000 江蘇省南通市蘇通科技產業(yè)園1088號江成研發(fā)園內4號樓北樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種氮化硅耦合鍺探測器結構，其中為橫向光電二極管結構，包括硅襯底；硅氧化層沉積于硅襯底的上表面；硅氧化層上包括：頂層硅的兩側分別形成第一摻雜區(qū)域與第二摻雜區(qū)域；鍺層形成于第一摻雜區(qū)域與第二摻雜區(qū)域之間的上表面，于第一摻雜區(qū)域與第二摻雜區(qū)域的上表面分別形成第一電極與第二電極，第一電極與第二電極分別向上延伸出硅氧化層；氮化硅波導形成于鍺層的上方，氮化硅波導為錐形結構，氮化硅波導具有第一端與第二端，第一端小于第二端。有益效果：有利于氮化硅解復用器與鍺探測器的集成，節(jié)省材料時間成本，將氮化硅波導改為錐形結構，增強氮化硅波導耦合至鍺探測器的耦合效率，還應用于高光功率及高帶寬的探測領域中。