一種耦合對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)及方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910844015.9 申請日 -
公開（公告）號 CN111474642A 公開（公告）日 2020-07-31
申請公布號 CN111474642A 申請公布日 2020-07-31
分類號 G02B6/42(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 宋廣益;甘甫烷;陳昌華;仇超 申請（專利權(quán)）人 南通賽勒光電科技有限公司
代理機構(gòu) 上海申新律師事務(wù)所 代理人 南通賽勒光電科技有限公司
地址 226000江蘇省南通市蘇通科技產(chǎn)業(yè)園1088號江成研發(fā)園內(nèi)4號樓北樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于硅光芯片工藝制作領(lǐng)域，公開了一種耦合對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)及方法，激光器芯片的底面上設(shè)置有激光器波導(dǎo)以及兩個限位柱，激光器波導(dǎo)的突出部分和限位柱的突出部分齊平；硅光芯片中包括硅光波導(dǎo),埋氧層和凹槽，凹槽內(nèi)分別設(shè)置兩個限位平面，限位平面的設(shè)置位置與限位柱一一對應(yīng)；激光器波導(dǎo)的模場中心與限位柱的突出部分的頂面為第一厚度；限位平面的頂面至埋氧層的下表面之間的第二厚度由第一厚度、硅光波導(dǎo)的參數(shù)值以及埋氧層的參數(shù)值確定；過限位柱和限位平面的配合將激光器芯片貼合在硅光芯片的凹槽內(nèi)，以使激光器波導(dǎo)與硅光波導(dǎo)在高度上對準(zhǔn)。上述技術(shù)方案的有益效果是：確保激光器芯片和硅光芯片之間的耦合成功率，并且降低經(jīng)濟成本。??