一種橫向鍺探測(cè)器結(jié)構(gòu)及制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810954972.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109119500B 公開（公告）日 2019-12-06
申請(qǐng)公布號(hào) CN109119500B 申請(qǐng)公布日 2019-12-06
分類號(hào) H01L31/0288（2006.01）; H01L31/0352（2006.01）; H01L31/103（2006.01）; H01L31/18（2006.01） 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳昌華; 魏江鑌; 仇超; 柏艷飛; 甘甫烷 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 南通賽勒光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海申新律師事務(wù)所 代理人 南通賽勒光電科技有限公司
地址 226000 江蘇省南通市蘇通科技產(chǎn)業(yè)園1088號(hào)江成研發(fā)園內(nèi)4號(hào)樓北樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種橫向鍺探測(cè)器結(jié)構(gòu)，其中，橫向鍺探測(cè)器結(jié)構(gòu)為橫向光電二極管結(jié)構(gòu)，包括硅襯底；硅氧化層沉積于硅襯底的上表面；硅氧化層上包括頂層硅，頂層硅的一側(cè)形成第一摻雜區(qū)域，于第一摻雜區(qū)域的上表面形成第一電極；頂層硅的上表面形成耦合層，于耦合層背向第一電極的一側(cè)形成延伸部，于延伸部形成第二摻雜區(qū)域，于第二摻雜區(qū)域形成第二電極；氮化硅波導(dǎo)為錐形結(jié)構(gòu)，形成于多晶硅層的上方。有益效果：通過改造鍺層結(jié)構(gòu)，對(duì)頂層硅及鍺層分別進(jìn)行摻雜，增強(qiáng)了氮化硅波導(dǎo)耦合至鍺探測(cè)器的耦合效率，實(shí)現(xiàn)了光復(fù)用器、光解復(fù)用器與鍺探測(cè)器的有效集成，還應(yīng)用于高光功率及高帶寬的光電探測(cè)領(lǐng)域中。