一種橫向鍺探測(cè)器結(jié)構(gòu)及制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810956083.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109103283A 公開（公告）日 2018-12-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN109103283A 申請(qǐng)公布日 2018-12-28
分類號(hào) H01L31/0328;H01L31/102;H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳昌華;魏江鑌;仇超;柏艷飛;甘甫烷 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 南通賽勒光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海申新律師事務(wù)所 代理人 南通賽勒光電科技有限公司
地址 226000 江蘇省南通市蘇通科技產(chǎn)業(yè)園1088號(hào)江成研發(fā)園內(nèi)4號(hào)樓北樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明包括一種橫向鍺探測(cè)器結(jié)構(gòu)及制備方法，其中，橫向鍺探測(cè)器結(jié)構(gòu)為橫向光電二極管，包括硅襯底；硅氧化層沉積于硅襯底的上表面；硅氧化層包括頂層硅；鍺層形成于頂層硅的上表面，鍺層包括鍺層主體，以及由鍺層主體分別向兩側(cè)延伸的第一延伸部與第二延伸部，于第一延伸部與第二延伸部分別形成第一摻雜區(qū)域與第二摻雜區(qū)域，于第一摻雜區(qū)域與第二摻雜區(qū)域的上表面分別形成第一電極與第二電極；氮化硅波導(dǎo)形成于鍺層的上方，氮化硅波導(dǎo)為錐形結(jié)構(gòu)。有益效果：通過改造鍺層結(jié)構(gòu)，有效增強(qiáng)氮化硅波導(dǎo)耦合至鍺探測(cè)器的耦合效率，可以實(shí)現(xiàn)光復(fù)用器與光解復(fù)用器與鍺探測(cè)器的有效集成，還可以應(yīng)用于高光功率及高帶寬的光電探測(cè)領(lǐng)域中。