一種氮化硅耦合鍺探測(cè)器結(jié)構(gòu)及制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810954990.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109148619A 公開（公告）日 2019-01-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN109148619A 申請(qǐng)公布日 2019-01-04
分類號(hào) H01L31/0232;H01L31/103;H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳昌華;魏江鑌;仇超;柏艷飛;甘甫烷 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 南通賽勒光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海申新律師事務(wù)所 代理人 南通賽勒光電科技有限公司
地址 226000 江蘇省南通市蘇通科技產(chǎn)業(yè)園1088號(hào)江成研發(fā)園內(nèi)4號(hào)樓北樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種氮化硅耦合鍺探測(cè)器結(jié)構(gòu)，其中為橫向光電二極管結(jié)構(gòu)，包括硅襯底；硅氧化層沉積于硅襯底的上表面；硅氧化層上包括：頂層硅的兩側(cè)分別形成第一摻雜區(qū)域與第二摻雜區(qū)域；鍺層形成于第一摻雜區(qū)域與第二摻雜區(qū)域之間的上表面，于第一摻雜區(qū)域與第二摻雜區(qū)域的上表面分別形成第一電極與第二電極，第一電極與第二電極分別向上延伸出硅氧化層；氮化硅波導(dǎo)形成于鍺層的上方，氮化硅波導(dǎo)為錐形結(jié)構(gòu)，氮化硅波導(dǎo)具有第一端與第二端，第一端小于第二端。有益效果：有利于氮化硅解復(fù)用器與鍺探測(cè)器的集成，節(jié)省材料時(shí)間成本，將氮化硅波導(dǎo)改為錐形結(jié)構(gòu)，增強(qiáng)氮化硅波導(dǎo)耦合至鍺探測(cè)器的耦合效率，還應(yīng)用于高光功率及高帶寬的探測(cè)領(lǐng)域中。