一種提高LED亮度的外延方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201910881462.1 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN110676356B | 公開（公告）日 | 2020-01-10 |
| 申請公布號 | CN110676356B | 申請公布日 | 2020-01-10 |
| 分類號 | H01L33/00(2010.01)I; | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 彭鵬 | 申請（專利權(quán)）人 | 陜西飛米企業(yè)管理合伙企業(yè)（有限合伙） |
| 代理機構(gòu) | 西安弘理專利事務(wù)所 | 代理人 | 韓玙 |
| 地址 | 710075陜西省西安市高新區(qū)發(fā)展大道18號飛秒研發(fā)辦公室107室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種提高LED亮度的外延方法，傳統(tǒng)LED的多重量子阱生長過程中，在最后一層量子壘結(jié)束后，新增一層不同于量子壘的外延粗化層，其中反應(yīng)室內(nèi)氣氛環(huán)境依舊沿用量子壘生長條件，即反應(yīng)室內(nèi)氣氛環(huán)境為V族氣體源載氣及通入反應(yīng)室內(nèi)氣體，新增后的LED外延結(jié)構(gòu)依次為接觸層、P型摻雜層、P型阻滯層、外延粗化層、多重量子阱、應(yīng)力釋放層、N型阻滯層、N型摻雜層、非摻雜層、緩沖層和襯底。本發(fā)明用于提高LED的亮度和器件效率。?? |
