用于激光剝離的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811536977.X 申請日 -
公開（公告）號 CN111293201B 公開（公告）日 2022-04-26
申請公布號 CN111293201B 申請公布日 2022-04-26
分類號 H01L33/46（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 林昶;史梁 申請（專利權(quán)）人 霸州市云谷電子科技有限公司
代理機構(gòu) 北京布瑞知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 孟潭
地址 511300廣東省廣州市增城區(qū)永寧街香山大道2號（增城經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)核心區(qū)內(nèi)）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種用于激光剝離的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及用于激光剝離的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，通過在外延層靠近襯底側(cè)設(shè)置反射層，在利用激光使襯底剝離過程中依靠該反射層對激光進(jìn)行反射和能量的消耗，達(dá)到保護外延層的作用，可以有效的解決利用激光使襯底剝離的過程中產(chǎn)生的沖擊導(dǎo)致外延層不同程度損壞的問題。其中用于激光剝離的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：外延層；反射層，與外延層相連接，用于在利用激光使襯底剝離時對接收到的激光進(jìn)行反射。