一維鏈狀晶體結(jié)構(gòu)硒化銻薄膜及提高其空穴濃度的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111314386.X 申請日 -
公開（公告）號 CN114164399A 公開（公告）日 2022-03-11
申請公布號 CN114164399A 申請公布日 2022-03-11
分類號 C23C14/06（2006.01）I;C23C14/24（2006.01）I;C30B29/46（2006.01）I;C30B23/00（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 唐江;魯帥成;陳超;高亮;李康華;盧岳 申請（專利權(quán)）人 華中科技大學(xué)溫州先進制造技術(shù)研究院
代理機構(gòu) 華中科技大學(xué)專利中心 代理人 汪潔麗
地址 430074湖北省武漢市洪山區(qū)珞喻路1037號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種提高一維鏈狀晶體結(jié)構(gòu)硒化銻薄膜空穴濃度的方法，其中，該方法包括：將摻雜劑和硒化銻以粉末形式充分混合，形成混合粉末，所述摻雜劑包括第Ⅳ主族元素單質(zhì)或含有第Ⅳ主族元素的硒化物；將所述混合粉末進行燒結(jié)再研磨，得到摻雜粉末；將所述摻雜粉末作為蒸發(fā)源，通過氣相轉(zhuǎn)移沉積法得到摻雜硒化銻薄膜，所述摻雜硒化銻薄膜中的銻元素被所述摻雜劑中的第Ⅳ主族元素替換。選用第Ⅳ主族元素單質(zhì)或含有第Ⅳ主族元素的硒化物作為摻雜劑對硒化銻進行摻雜，實驗研究表明，使用該摻雜劑能夠?qū)⑽R薄膜的空穴載流子濃度提升至1×1016cm?3以上。