一種非光刻圖形化掩模的制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010758022.X 申請日 -
公開（公告）號 CN111999979A 公開（公告）日 2020-11-27
申請公布號 CN111999979A 申請公布日 2020-11-27
分類號 G03F1/76(2012.01)I 分類 攝影術(shù)；電影術(shù)；利用了光波以外其他波的類似技術(shù)；電記錄術(shù)；全息攝影術(shù)〔4〕;
發(fā)明人 李中天;姚宇;鄧曉帆 申請（專利權(quán)）人 蘇州太陽井新能源有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州吳韻知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王銘陸
地址 215127江蘇省蘇州市吳中區(qū)甪直鎮(zhèn)凌港路128號3幢4層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種非光刻圖形化掩模的制造方法，包括以下步驟：S1.在襯底上設(shè)置一層高分子材料；S2.將這層高分子材料中部分不需要保留的區(qū)域接觸含有阻聚劑或緩聚劑的溶液；S3.對包含高分子材料的襯底進(jìn)行熱處理；S4.將包含高分子材料的襯底浸在顯影溶液或通過噴霧顯影法顯影，直到高分子材料接觸阻聚劑或緩聚劑的區(qū)域溶解。本發(fā)明和傳統(tǒng)光刻工藝或干膜工藝相比，此圖形化掩膜的方法不需要光源與曝光過程，并且高分子材料中并不需要添加光敏成分，大幅降低材料成本，在需要低成本掩膜的應(yīng)用領(lǐng)域。??