硅碳復合納米管陣列的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810287432.3 申請日 -
公開（公告）號 CN110350153A 公開（公告）日 2019-10-18
申請公布號 CN110350153A 申請公布日 2019-10-18
分類號 H01M4/36;H01M4/38;H01M4/583;H01M10/0525;B82Y40/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 趙成龍;宋春華;王瑛;陳欣 申請（專利權(quán)）人 山東玉皇盛世化工股份有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 274000 山東省菏澤市開發(fā)區(qū)長江東路4666號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種硅碳復合納米管陣列的制備方法，屬于電池材料領(lǐng)域。該硅碳復合納米管陣列的制備方法，其特征在于，包括下述步驟：1)將孔徑范圍為100?180nm的多孔陽極氧化鋁模板進行煅燒；2)在煅燒后進行高溫還原反應；3)最后脫除模板劑，干燥，即制得所述硅碳復合納米管陣列；所述煅燒的程序升溫包括：第一煅燒階段：300?400℃，保持20?40min；第二煅燒階段：500?600℃，保持30?50min；第三煅燒階段：600?900℃，保持10?30min；所述高溫還原反應包括：第一還原階段：100?300℃，保持10?20min；第二還原階段：300?500℃，保持20?30min；第三還原階段：500?800℃，保持10?15min。該方法制備的硅碳復合納米管陣列作為鋰離子電池的負極材料制備的鋰離子電池的比容量高，循環(huán)性能好。