一種半導體刻蝕設(shè)備的故障檢測裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202021081790.8 申請日 -
公開(公告)號 CN213022912U 公開(公告)日 2021-04-20
申請公布號 CN213022912U 申請公布日 2021-04-20
分類號 G01N21/956(2006.01)I 分類 測量;測試;
發(fā)明人 廖海濤 申請(專利權(quán))人 江蘇邑文微電子科技有限公司
代理機構(gòu) 北京商專潤文專利代理事務所(普通合伙) 代理人 朱建
地址 226000江蘇省南通市如東縣掘港街道金山路1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種半導體刻蝕設(shè)備的故障檢測裝置,涉及到半導體刻蝕設(shè)備用故障檢測領(lǐng)域,包括檢測臺,所述檢測臺的頂側(cè)固定安裝有兩個支撐柱,兩個支撐柱的頂側(cè)均開設(shè)有伸縮槽,兩個伸縮槽內(nèi)均滑動安裝有伸縮柱,兩個伸縮柱的頂側(cè)分別延伸至兩個伸縮槽外并均固定安裝有橫桿。本實用新型結(jié)構(gòu)合理,可通過滑動控制塊來帶動兩個激光發(fā)射筆水平移動,從而可以同時對兩個半導體進行對比采集數(shù)據(jù),采集到的數(shù)據(jù)通過處理中心進行分析對比,最終可自動得出半導體刻蝕設(shè)備出現(xiàn)故障的位置,不再需要人工肉眼來進行觀察對比,可有效避免人工視覺誤差而導致誤判故障,提高了檢測的速度和準確性。??