一種FPGA片上SRAM電源

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201310268333.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN103326563A 公開(kāi)（公告）日 2013-09-25
申請(qǐng)公布號(hào) CN103326563A 申請(qǐng)公布日 2013-09-25
分類號(hào) H02M3/07(2006.01)I 分類 發(fā)電、變電或配電;
發(fā)明人 何弢 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 成都鴻智電通微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都高遠(yuǎn)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 李高峽;全學(xué)榮
地址 610041 四川省成都市高新區(qū)天府大道北段1480號(hào)6幢102室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)一種FPGA片上SRAM電源：包括用于提供1.2V和1.8V的雙基準(zhǔn)電壓的參考電壓電路、用于檢測(cè)SRAM電源電壓值和1.2V基準(zhǔn)電壓并產(chǎn)生數(shù)字邏輯輸出的電壓檢測(cè)器、用于抑制或補(bǔ)償SRAM的電源電壓并提高SRAM電源電壓的驅(qū)動(dòng)能力的電壓比較器、用于產(chǎn)生電壓泵輸出電壓的有效VCLK時(shí)鐘信號(hào)的環(huán)形振蕩器、用于為全芯片的SRAM單元提供3.3V的電源支持的電荷泵；參考電壓電路連接電壓檢測(cè)器，電壓檢測(cè)器連接環(huán)形振蕩器和SRAM單元，電壓比較器連接電荷泵，環(huán)形振蕩器連接電荷泵，電荷泵為SRAM單元提供工作電源；本發(fā)明能降低FPGA片上SRAM存儲(chǔ)器的動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)功耗和靜態(tài)直流功率。