一種FPGA片上SRAM電源

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310268333.8 申請日 -
公開（公告）號 CN103326563B 公開（公告）日 2016-05-25
申請公布號 CN103326563B 申請公布日 2016-05-25
分類號 H02M3/07(2006.01)I 分類 發(fā)電、變電或配電;
發(fā)明人 何弢 申請（專利權(quán)）人 成都鴻智電通微電子有限公司
代理機構(gòu) 成都高遠知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 成都鴻芯紀元科技有限公司;北京鴻智電通科技有限公司
地址 610041 四川省成都市高新區(qū)天府大道北段1480號6幢102室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種FPGA片上SRAM電源：包括用于提供1.2V和1.8V的雙基準電壓的參考電壓電路、用于檢測SRAM電源電壓值和1.2V基準電壓并產(chǎn)生數(shù)字邏輯輸出的電壓檢測器、用于抑制或補償SRAM的電源電壓并提高SRAM電源電壓的驅(qū)動能力的電壓比較器、用于產(chǎn)生電壓泵輸出電壓的有效VCLK時鐘信號的環(huán)形振蕩器、用于為全芯片的SRAM單元提供3.3V的電源支持的電荷泵；參考電壓電路連接電壓檢測器，電壓檢測器連接環(huán)形振蕩器和SRAM單元，電壓比較器連接電荷泵，環(huán)形振蕩器連接電荷泵，電荷泵為SRAM單元提供工作電源；本發(fā)明能降低FPGA片上SRAM存儲器的動態(tài)開關(guān)功耗和靜態(tài)直流功率。