金剛石單晶生長裝置及方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711243374.6 申請日 -
公開（公告）號 CN107955967A 公開（公告）日 2018-04-24
申請公布號 CN107955967A 申請公布日 2018-04-24
分類號 C30B29/04;C30B25/00 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 劉曉晨;姜龍;郭輝;何奇宇 申請（專利權(quán)）人 河北普萊斯曼金剛石科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 石家莊國為知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 代理人 河北普萊斯曼金剛石科技有限公司
地址 050081 河北省石家莊市友誼南大街46號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及晶體合成技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種金剛石單晶生長裝置及方法。所述裝置包括：沉積臺和可升降中心柱；所述沉積臺上設(shè)有沉積臺孔，所述可升降中心柱上設(shè)有與所述沉積臺孔配合的孔柱，所述孔柱設(shè)置在所述沉積臺孔中。所述裝置及方法能夠有效地提高金剛石單晶生長質(zhì)量，解決一次生長不了太厚的問題。