一種高功率的微波等離子體金剛石膜化學(xué)氣相沉積裝置
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201210067224.5 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN103305816B | 公開(公告)日 | 2015-07-15 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN103305816B | 申請(qǐng)公布日 | 2015-07-15 |
分類號(hào) | C23C16/511(2006.01)I;C23C16/27(2006.01)I | 分類 | 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴(kuò)散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
發(fā)明人 | 唐偉忠;蘇靜杰;李義鋒;于盛旺;黑鴻君;劉艷青 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 河北普萊斯曼金剛石科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京金智普華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 北京科技大學(xué);河北普萊斯曼金剛石科技有限公司 |
地址 | 100083 北京市海淀區(qū)學(xué)院路30號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 一種高功率的微波等離子體金剛石膜化學(xué)氣相沉積裝置,屬于金剛石膜制備技術(shù)領(lǐng)域。該裝置包含由諧振腔上圓柱體、下圓柱體、沉積金剛石膜的沉積臺(tái)以及半橢球形微波反射體所組成的諧振腔主體。半橢球形微波反射體與諧振腔上圓柱體之間在外形上平滑過(guò)渡,這保證了進(jìn)入諧振腔的微波不會(huì)受到散射。與此同時(shí),半橢球形微波反射體使諧振腔擁有很強(qiáng)的微波電場(chǎng)聚焦能力,它有助于將微波能量聚集到沉積臺(tái)上方,從而形成一個(gè)很強(qiáng)的電場(chǎng)區(qū)域和形成高密度的等離子體。通過(guò)對(duì)半橢球形微波反射體位置的調(diào)節(jié),可以對(duì)裝置的諧振腔進(jìn)行調(diào)節(jié),實(shí)時(shí)地優(yōu)化裝置中微波電場(chǎng)與等離子體的分布。同時(shí),裝置中的石英微波窗口位于金剛石膜沉積臺(tái)的下方,而裝置的其他各主要部分距離等離子體也較遠(yuǎn)和能被較好地直接水冷。 |
