一種橢球形高功率微波等離子體金剛石膜沉積裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410383700.3 申請日 -
公開（公告）號 CN104164658B 公開（公告）日 2016-08-24
申請公布號 CN104164658B 申請公布日 2016-08-24
分類號 C23C16/27(2006.01)I;C23C16/511(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 唐偉忠;李義鋒;蘇靜杰;劉艷青;丁明輝;王歌 申請（專利權(quán)）人 河北普萊斯曼金剛石科技有限公司
代理機構(gòu) 北京市廣友專利事務(wù)所有限責任公司 代理人 河北普萊斯曼金剛石科技有限公司
地址 050081 河北省石家莊市友誼南大街46號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明為一種橢球形高功率微波等離子體金剛石膜沉積裝置，該裝置由階梯狀環(huán)形微波耦合系統(tǒng)、設(shè)置于環(huán)形天線階梯處的環(huán)形石英微波窗口、橢球形微波諧振腔、可調(diào)節(jié)沉積臺、圓錐形上反射體和可調(diào)節(jié)圓柱形下反射體，進出氣口，測溫孔和觀察窗等組成。此裝置利用橢球的上下焦點設(shè)計，圓錐形上微波反射體位于上焦點，沉積臺位于下焦點，電場分布集中，激發(fā)等離子體位置穩(wěn)定、密度高；隱藏的微波窗口避免被等離子體加熱、污染、刻蝕；可調(diào)節(jié)的微波下反射體和沉積臺實時地優(yōu)化等離子體分布；橢球形諧振腔內(nèi)壁距離高溫等離子體區(qū)較遠，減弱等離子體對腔室內(nèi)壁的熱輻射，避免沉積異物；裝置各部件采用水冷。此裝置可在高功率下實現(xiàn)大面積高品質(zhì)金剛石膜的高效沉積。