一種改善MOSFET雪崩特性的方法及其器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110949926.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113707545A 公開（公告）日 2021-11-26
申請公布號 CN113707545A 申請公布日 2021-11-26
分類號 H01L21/266（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 何昌 申請（專利權）人 深圳市美浦森半導體有限公司
代理機構 東莞市卓易專利代理事務所（普通合伙） 代理人 王再興
地址 518000廣東省深圳市南山區(qū)招商街道水灣社區(qū)太子路22號金融中心大廈1601
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種改善MOSFET雪崩特性的方法及其器件，該方法提供一半導體襯底，半導體襯底上設有外延片，在所述外延片上生長一層柵極氧化層；在所述柵極氧化層上淀積一層多晶硅層,在多晶硅層的表面涂光刻膠，采用刻蝕機進行刻蝕，形成第一溝槽；定義P型體區(qū)，將多晶硅層增加一層光罩；采用離子注入工藝在所述P型體區(qū)內(nèi)注入P型離子后退火；通過定義P型體區(qū)，增加一層光罩，從而可以在增加P型體區(qū)注入摻雜濃度情況下，有利于降低寄生BJT基區(qū)的電阻；減小P型體區(qū)電阻，但不影響溝道濃度，因此可以極大的提高器件雪崩特性的同時，使得器件其它特性保持不變，工藝簡單、成本低。