一種碳化硅二極管場限環(huán)終端結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202023208121.5 申請日 -
公開（公告）號 CN213816163U 公開（公告）日 2021-07-27
申請公布號 CN213816163U 申請公布日 2021-07-27
分類號 H01L29/861（2006.01）;H01L29/06（2006.01）;H01L29/16（2006.01） 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊勇;張光亞;朱勇華;付國振 申請（專利權(quán)）人 深圳市美浦森半導體有限公司
代理機構(gòu) 中山市科企聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 楊立銘
地址 518000 廣東省深圳市南山區(qū)招商街道水灣社區(qū)太子路22號金融中心大廈1601
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供的一種碳化硅二極管場限環(huán)終端結(jié)構(gòu)，包括：碳化硅N型半導體襯底，在N型外延層靠頂部設(shè)置JTE主結(jié)區(qū)，在所述JTE主結(jié)區(qū)的附近設(shè)置四個附加的外側(cè)P?環(huán)，JTE主結(jié)區(qū)和外側(cè)P?環(huán)的結(jié)深為0.5?1微米，JTE主結(jié)區(qū)的寬度為20?30微米，所述外側(cè)P?環(huán)的環(huán)間距為2?3微米，環(huán)寬為4?8微米，所述JTE主結(jié)區(qū)的頂部部分覆蓋設(shè)置正面金屬，所述正面金屬的另一部分設(shè)置在所述的N型外延層的頂部，所述碳化硅N型半導體襯底的底部設(shè)置背面金屬。通過設(shè)置JTE主結(jié)區(qū)和外側(cè)P?環(huán)，當JTE主結(jié)區(qū)區(qū)域被耗盡時，外側(cè)附加的四個外側(cè)P?環(huán)也會被包圍進入N型漂移區(qū)的耗盡區(qū)，P?環(huán)內(nèi)部被部分耗盡，JTE主結(jié)區(qū)的利用率變高，有效提高終端效率并獲得較高的電壓，而且摻雜濃度可控。