一種氮化鎵異質(zhì)結(jié)二極管制備方法及二極管
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202011532080.7 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN112652535A | 公開（公告）日 | 2021-04-13 |
| 申請公布號 | CN112652535A | 申請公布日 | 2021-04-13 |
| 分類號 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 楊勇;張光亞;朱勇華;付國振 | 申請（專利權(quán)）人 | 深圳市美浦森半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 中山市科企聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 楊立銘 |
| 地址 | 518000廣東省深圳市南山區(qū)招商街道水灣社區(qū)太子路22號金融中心大廈1601 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種氮化鎵異質(zhì)結(jié)二極管制備方法及二極管，其制備方法包括以下步驟：制備一二氧化硅?氮化鎵?氮化鎵鋁外延片襯底，依次淀積氮化鋁層和二氧化硅層；曝光刻蝕氮化鋁層和二氧化硅層，露出二維電子氣的位置；內(nèi)鍍上一層二氧化硅層；曝光刻蝕露出氮化鎵鋁層，形成源極孔和漏極孔；沉積一復(fù)合金屬鈦鋁鎳金層；曝光刻蝕掉步驟S10中的二氧化硅層，露出氮化鋁層形成一個柵極引線孔，淀積一鋁層，形成氮化鎵器件的異質(zhì)結(jié)；頂部鍍上一層二氧化硅層作為絕緣層，并曝光刻蝕該二氧化硅層露出源極孔和漏極孔；沉積一鋁層，形成氮化鎵異質(zhì)結(jié)二極管器件源極和漏極。通過以上方法制得的二極管功率密度輸出高，能量轉(zhuǎn)換效率高，可使系統(tǒng)小型化、輕量化。?? |
