一種超級(jí)結(jié)碳化硅二極管元胞結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202023208124.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN213816164U | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-07-27 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN213816164U | 申請(qǐng)公布日 | 2021-07-27 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L29/861（2006.01）;H01L29/06（2006.01）;H01L29/16（2006.01） | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 楊勇;張光亞;朱勇華;付國(guó)振 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 深圳市美浦森半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 中山市科企聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 楊立銘 |
| 地址 | 518000 廣東省深圳市南山區(qū)招商街道水灣社區(qū)太子路22號(hào)金融中心大廈1601 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型提供的一種超級(jí)結(jié)碳化硅二極管元胞結(jié)構(gòu)，包括：碳化硅N型半導(dǎo)體襯底，所述碳化硅N型半導(dǎo)體襯底上設(shè)置N型外延層，在所述N型外延層的頂部設(shè)置一對(duì)平行的溝槽，所述溝槽呈倒置等腰梯形狀，所述溝槽內(nèi)填充絕緣介質(zhì)，所述N型外延層對(duì)應(yīng)所述溝槽的外壁處設(shè)置P型摻雜區(qū)，所述P型摻雜區(qū)、所述絕緣介質(zhì)及所述N型外延層的頂部設(shè)置陽(yáng)極層，所述碳化硅N型半導(dǎo)體襯底的底部設(shè)置陰極層。通過(guò)上述設(shè)計(jì)，采用超級(jí)結(jié)技術(shù)路線(xiàn)，利用深槽刻蝕、傾斜高能離子注入、電介質(zhì)回填溝槽方式便于加工，器件結(jié)構(gòu)中P型和N型電荷的電荷平衡易控制，工藝的簡(jiǎn)單實(shí)現(xiàn)成本隨之降低。 |
