一種低壓快恢復(fù)二極管的制備方法及二極管
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011528257.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112652534A | 公開（公告）日 | 2021-04-13 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112652534A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-04-13 |
| 分類號(hào) | H01L21/329(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 楊勇;張光亞;朱勇華;付國(guó)振 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 深圳市美浦森半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 中山市科企聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 楊立銘 |
| 地址 | 518000廣東省深圳市南山區(qū)招商街道水灣社區(qū)太子路22號(hào)金融中心大廈1601 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種低壓快恢復(fù)二極管的制備方法及二極管，所述制備方法包括以下步驟：制備一N型半導(dǎo)體襯底，在襯底上形成一N型外延層；在所述N型外延層上場(chǎng)氧形成一熱氧化層；通過N+截止環(huán)掩模版曝光刻蝕露出N+open離子注入窗口區(qū)；在所述N+open的窗口區(qū)高能離子注入離子磷；通過PLS主結(jié)掩模版曝光刻蝕PLS主結(jié)區(qū)，并高能離子注入硼；完成后進(jìn)行高溫推進(jìn)形成P阱與N阱；在器件正面濺射鋁，通過金屬掩模版曝光刻蝕形成正電極；在正電極表面淀積鈍化層，通過鈍化層掩模版曝光刻蝕形成器件保護(hù)結(jié)構(gòu)；在N型半導(dǎo)體襯底的背面蒸發(fā)形成一金屬銀層，并引出負(fù)電極。在保證特性不變的條件下省略孔層次的工藝，從而提高產(chǎn)品生產(chǎn)效率，降低器件的生產(chǎn)成本。?? |
