一種銀面碳化硅二極管表面鈍化加工工藝
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011528189.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112652533A | 公開（公告）日 | 2021-04-13 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112652533A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-04-13 |
| 分類號(hào) | H01L21/329(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L29/16(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 楊勇;張光亞;朱勇華;付國(guó)振 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 深圳市美浦森半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 中山市科企聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 楊立銘 |
| 地址 | 518000廣東省深圳市南山區(qū)招商街道水灣社區(qū)太子路22號(hào)金融中心大廈1601 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供的一種銀面碳化硅二極管表面鈍化加工工藝，包括以下步驟：S10.在二極管的表面通過金屬掩模版曝光刻蝕正面金屬鋁層；S20.在金屬鋁層上沉積一層等離子PE氮化硅層，通過鈍化掩膜版曝光各向同性干法刻蝕等離子PE氮化硅層，形成器件終端表面鈍化結(jié)構(gòu)；S30.在器件終端表面鈍化結(jié)構(gòu)上蒸發(fā)一復(fù)合金屬鈦鎳銀層；S40.通過金屬掩模版曝光刻蝕復(fù)合金屬鈦鎳銀層，形成器件銀面正電極。與傳統(tǒng)各項(xiàng)異性干法刻蝕相比保證了復(fù)合金屬鈦鎳銀TI?NI?AG與金屬鋁在器件終端處的粘附性，避免了金屬鈦鎳銀的脫落，同時(shí)此方案成本低。?? |
